半导体晶圆上的线/凸点电镀或壁垒下电镀
微凸块和通过“电镀”进行的精细布线是提高电子设备性能和小型化的必要技术,例如通过缩短布线长度来改善传输。
我们还可以处理小规模的原型制作和验证项目。
主功能
键合、 低电阻、 高导电 布线形成
■支持基材
尺寸:6英寸到12英寸晶圆
材料:Si、SiC、玻璃等。
电解铜 |
低电阻,散热好 |
电解镍 |
阻隔金属(防扩散) |
电解金 |
低电阻、抗氧化、焊点 |
电解锡银 |
无铅接合 |
电解金锡 |
高温粘接 |
*如需上述以外的规格,请随时与我们联系。
在我们公司,我们不仅处理电镀工艺,还处理抗蚀剂图案和蚀刻工艺等前处理和后处理。
溅射:可以制作 Cu、Ti、Al 和 Ni 的薄膜。我们接受有关薄膜厚度和层组成的咨询。
光刻:支持4英寸到8英寸晶圆。
也可提供最大为 300 平方毫米的片状薄膜。
我们可以处理从制作曝光蒙版到所有的事情。曝光设备是对准器类型。
电镀:见下一节。
种子蚀刻:蚀刻溅射的 Ti 或 Cu 种子层。可以进行抑制侧蚀的选择性蚀刻。
可以通过电镀形成微凸块、布线、电极等。
凸点尺寸结果: 最小 - Φ20μm
最大H30μm - Φ60μm 最小 H100μm
线路: L/S = 10μm/10μm
线路设备可用电镀类型: 镀铜、镀镍、镀金、镀锡-银合金
* 此外,还有是可以在简单的槽水平处理的电镀类型,所以请联系我们。
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镍基锡银凸块(Φ20μm×H 30μm) | 由镀铜制成的布线 |
我们接受至少一件的原型请求。
晶圆型产品是最标准的,所以我们的支持范围最广。我们可能可以处理矩形基板、100 μm 级别的薄基板、芯片和小片,因此请联系我们。
可处理的材料不限于一般的Si晶圆,还可以镀在玻璃、陶瓷、树脂薄膜等上。如果是特殊材料,我们可能会检查对我们加工过程的抵抗力。
如有特殊要求,如有必要,我们还为每个样机制造自己的专用设备。我们灵活应对各种项目。
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薄膜基板铜图形电镀 | 玻璃基板上的铜图案电镀 |
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